雙面曝光機

雙面曝光曝光機採用上及下兩組曝光源, 欲曝光機基板夾於上下光罩之間同時曝基板上下兩面, 對雙面製程之基板之產能, 能兩倍於單面曝光製程。





上下曝光燈源


紫外光源可採汞燈或UV LED。
汞燈可選:350W、500W、1000W、2000W、3500W、5000W
UV LED可選:單燈組16晶粒、單燈組36晶粒、四燈組64晶粒、四燈組144晶粒。
曝光光源尺寸:4"、6"、8"、10"、12"。
汞燈波長:NUV (含365nm、405nm、435nm);UV LED波長:365nm、405nm、365nm+405nm。
光源平行半角:1.5~2.5度 (依出光口徑)。
均勻度:±3~5%。
高壓汞燈電源供應器,或UV LED電源供應器。


影像系統


採用可變倍率鏡頭影像系統,總影像倍率100x-600x。
小型高解析黑白CCD攝影機,19”LCD螢幕,LED同軸光源打光,影像解析度最佳可達1um。
鏡頭位置可前後左右上下微調約20mm。
可選擇使用一組或兩組影像系統,選配快速掃描台,可快速移動鏡頭,前後左右移動約10cm。


曝光對準台


光罩真空吸盤:4"、5"或6"下吸式。
晶圓真空吸盤:破片2"、3"、4"或5",具光罩與晶圓平行面校正功能。
曝光模式:軟接觸式(Soft contact)。
X,Y軸調整幅度10mm,解析度1um;T軸調整幅度5度,解析度0.001度;Z軸調整幅度3mm,解析度1um。
Z軸具千分錶可顯示光罩與晶圓間距,可設定對準與曝光兩種間隙。
人工置放晶片與調整晶片位置,取放晶圓時光罩吸盤以手開啟。


操作系統


採全手動撥鈕操作系統,以手動控制面板操作。
操作項目包括光罩與晶圓之更換、光罩與晶圓間隙之切換、
光罩與晶圓平行面校正、真空接觸之切換與真空值調整、
Z軸的歸零、鏡頭與曝光源左右交替移至對準台上方,並有安全互鎖功能。


機座


桌上型大底板機座,具有調整腳。


性能


採真空接觸曝光圖形解析最佳可達1um。
近接曝光依光罩與晶圓間隙最佳可達3~5um。